TSMC "2나노 제품 양산 시작…성능·전력 소비 획기적"

세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 기업인 타이완 TSMC는 올해 4분기 들어 최첨단 2나노(10억 분의 1ｍ) 공정 제품을 양산하고 있다고 밝혔습니다.

타이완 언론에 따르면 TSMC는 어제(30일) 공식 웹사이트를 통해 남부 가오슝 난쯔 과학단지 22 팹(반도체 생산공장)에서 2나노(N2) 제품을 양산 중이라고 공개했습니다.

TSMC는 N2 공정에 1세대 게이트 올어라운드(GAA) 나노시트 트랜지스터 기술을 사용해 성능과 전력 소비에서 획기적인 발전을 이뤘다고 설명했습니다.

기술 혁신을 통해 더 안정적인 전원공급, 우수한 연산 능력, 전반적인 에너지 효율의 최적화를 실현했다는 설명도 덧붙였습니다.

소식통은 TSMC의 N2 공정이 핀펫(FinFET) 트랜지스터 기술에서 도약한 GAA 나노시트 트랜지스터 기술을 처음 사용하는 기술 혁신을 보였다고 밝혔습니다.

그는 이를 통해 성능과 전력 효율을 희생하지 않으면서 트랜지스터의 크기를 더욱 줄이고 밀도를 크게 높일 수 있다고 전했습니다.

다른 소식통은 TSMC가 남부 22 팹의 N2 공정 양산을 공개했지만, 북부 신주과학단지의 바오산 지역 20 팹의 제1공장에서 22 팹보다 먼저 양산을 시작했다고 말했습니다.

그는 TSMC가 약 5만 개에 달하는 22 팹과 20 팹의 월간 생산능력을 내년 말까지 10만 개 이상, 2027년 20만 개 이상으로 확대하는 방안을 고려 중이라고 전했습니다.

(사진=연합뉴스)